PORÓWNANIE ROZKŁADÓW TEMPERATURY W NANOTRANZYSTORACH PRZY UŻ˙YCIU NOWOCZESNEGO MODELU TERMICZNEGO
Słowa kluczowe:
model Dual-Phase-Lag, struktury nanometryczne, tranzystor FinFET, rozkład temperatury, model Fouriera-KirchhoffaAbstrakt
W pracy przedstawiono porównanie rozkładów temperatur w dwóch nanometrycznych strukturach elektronicznych. Pierwszą z nich jest prototypowy tranzystor FinFET zaprojektowany w procesie technologicznym 5nm. Drugą rozważaną strukturą jest tranzystor FinFET wykonany w procesie technologicznym 12 nm. W celu wyznaczenia rozkładu temperatury w analizowanych strukturach wykorzystano nowoczesny model termiczny Dual-Phase-Lag. Dodatkowo, wszystkie otrzymane wyniki porównane zostały z temperaturami uzyskanymi przy użyciu klasycznego modelu Fouriera-Kirchhoffa. Zaprezentowane wyniki zostały szczegółowo opisane w artykule. Przedstawiono ponadto najważniejsze wnioski w formie krótkiego podsumowania
Bibliografia
N. Jain, B. Raj Capacitance/Resistance Modeling and Analog Performance Evaluation of 3-D SOI FinFET Structure for Circuit Perspective Applications, Word Sientific News, An International Scientific Journal, 2018.
J. P. Colinge Multiple-gate SOI MOSFETs, Solid State Electron, 2004.
J. P. Colinge, A. Chandraksan FinFETs and other multi-gate transistors, Springer, 2008.
D. Y. Tzou, A Unified Field Approach for Heat Conduction From Macro- to Micro-Scales, Transactions of ASME J. Heat Transfer, 8–16, 1995.
M. Zubert, M. Janicki, T. Raszkowski, A.Samson, The Thermal Model of Fin-FET Transistor, Proc. of 21st International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems, Paris, 2015.
M. Zubert, T. Raszkowski, A.Samson, M. Janicki, A. Napieralski The distributed thermal model of fin field effect transistor, Microelectronics Reliability, 2016.
T. Raszkowski, A. Samson, M. zubert, M. Janicki Comparison of temperature distribution in FinFETs and GAAFETs based on Dual-Phase-Lag heat transfer model, Proc. of 19th Electronics Packaging Technology Conference, Singapore, 2017.
